买卖IC网 >> 产品目录 >> SI6866BDQ-T1-E3 MOSFET 20V 5.8A datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI6866BDQ-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 20V 5.8A
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 20V 5.8A
SI6866BDQ-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 20 V
闸/源击穿电压 +/- 12 V
漏极连续电流 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 27 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSSOP-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI6866BDQ-T1-E3
SI6866DQ
SI6866DQ-T1
SI6866DQ-T1-E3
SI6874EDQ
SI6874EDQ-T1
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  • SI6866BDQ-T1-E3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价